品牌 |
Samsung/三星 |
型号 |
KMDP6001DA-B425 |
产品类型 |
MMC卡 |
加工定制 |
否 |
加印logo |
不可以 |
KMDP6001DA-B425
KMDP6001DA是一款多芯片封装内存,结合了64GB EMMC和32Gb(16Gb*2)DDPLPDDR4X SDRAM。 SAMSUNG eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同,因此是使用行业标准MMC协议v5.1对内存进行的简单读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域(VCC)需要3V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VCCQ)。SAMSUNG eMMC支持HS400以提高顺序带宽,尤其是顺序读取性能。
特征:
1、eMMC
●兼容嵌入式 MultimediaCard Ver5.1。
●SAMSUNG eMMC 支持 JEDEC 标准中定义的 eMMC5.1 特性。
-不支持的功能:大扇区大小 (4KB)。
●向后兼容以前的 MultiMediaCard 系统规范(1 位数据总线、多 eMMC 系统)。
●数据总线宽度:1bit(默认)、4bit 和 8bit。
●MMC I/F 时钟频率:0 ~ 200MHz
-MMC I/F 启动频率 : 0 ~ 52MHz
●电源 : 接口电源→VCCQ(1.70V~1.95V),内存电源 →VCC(2.7V~3.6V)
2、LPDDR4X SDRAM
? 双倍数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输
? 双向数据选通(DQS_t、DQS_c),这些与用于在接收器捕获数据的数据一起发送/接收
? 差分时钟输入(CK_t 和 CK_c)
? 差分数据选通(DQS_t 和 DQS_c)
? 命令和地址进入正向 CK 边沿;参考 DQS 的两个边沿的数据和数据掩码
? 每个芯片 2 通道组合
? 每个通道 8 个内部库
? DMI 引脚:正常写入和读取操作时的 DBI(数据总线反转),DBI 关闭时用于屏蔽写入的数据掩码 (DM)
- 当 DBI 打开时,为屏蔽写入计算 DQ 的数量 1
? 突发长度:16、32 (OTF)
? 突发类型:顺序
? 读写延迟:请参阅表 10.4 AC 时序
? 每次突发访问的自动预充电选项
? 可配置的驱动强度
? 刷新和自刷新模式
? 部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
? 写调平
? CA 校准
? 内部 VREF 和 VREF 培训
? 基于 FIFO 的写/读训练
? MPC(多用途命令)
? LVSTLE(低电压摆动终止逻辑扩展)IO
? VDD1/VDD2/VDDQ:1.8V/1.1V/0.6V
? VSSQ 终止
? 无 DLL:CK 到 DQS 不同步
品名
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规格
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数量
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FLASH SDK SDINBDA4-32-1002W
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32GB TFBGA-153 FW:QS1.1D
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400K
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FLASH KST EMMC32G-TB29-M90
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32GB FBGA153 FW:M90
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100K
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FLASH KST EMMC64G-TA29-M91
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64GB FBGA153 FW:M91
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130K
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LPD4 3733 256M*32 FBGA200 SD
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SAMSUNG/K4F8E304HB-MGCJ
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500K
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EMCP KMDP6001DA-B425
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SAMSUNG 64G+32GLPD4 FBGA254 FW: P02
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5K
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EMCP KMDV6001DA-B620
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SAMSUNG 128G+32GLPD4 FBGA254 FW: PO2
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55K
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